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레이저패턴발생기
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1. 序 論
일반적으로 반도체 소자 공정은 불순물 주입, 확산, 리소그라피, 박막형성, 금속 배선 형성등으로 나눌 수 있는데 그중 리소그라피 공정은 마스크(Mask)상의 기하학적 모형을 반도체 웨이퍼의 표면에 도포되어 있는 얇은 감광재료(photoresist)에 옮겨 놓은 것을 말한다.
이 모형들은 다음 단계의 식각(echting) 과정 때 웨이퍼 표면과 감광재료 사이에 놓여 있는 공정상의 실질적 마스크 역할을 하는 박막층에 모형을 형성시키는 식각 방지 층으로 사용되어지는 것이다.
작은 크기를 전사할 수 있는 노광 공정 능력은 DRAM의 집적도 향상 및 CPU의 연산능력 향상에 근본적인 영향을 미치므로, 우리나라 반도체 산업의 지속적인 발전을 위해서는 이 분야의 집중적인 연구가 필요한 시점이다.
2. 本 論
가. lithography 공정 분류
공정으로서는 노광, 현상 및 식각공정으로 이루어 진다.
(1) 노광공정 (선택적 광화학 반응)
- 특정 에너지를 포토레지스트에 선택적으로 조사하여 광화학 반응을 유발 시킴
(2) 현상(develope) : 화학 약품이나 플라즈마 처리를 하여 패턴을 최종 하부막에 전사
(3) 식각 공정 : dry eching이나 wet eching 방법을 사용하여 레지스트를 제거함
나. lithography 장치 특성
(1) 해상도(Resolution) : 반도체의 고집적화
(가) 감광막에 원래의 마스크 모형과 가장 잘 일치하는 충실도로 표현
(나) 형상이 옮겨질 수 있는 최소 모양의 크기
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